| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 探測器類 | 鋰漂移硅探測器Si(Li) |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 進(jìn)口 |
其他描述
| 設(shè)備簡介 | 技術(shù)指標(biāo)：二次電子分辨率:1.0nm(15 kV); 2.0 nm(1 kV)背散射電子分辨率:3.0 nm(15 kV)電子槍:冷場發(fā)射電子源加速電壓:0.5~30 kV（0.1 kV/步，可變）放大倍率:×30 ~ ×800,000。X射線能譜儀的元素分析范圍為Be4~U92。儀器用途：用于觀察材料表面的微細(xì)形貌、斷口及內(nèi)部組織，并對(duì)材料表面微區(qū)成分進(jìn)行定性和定量分析，主要用途如下： 金屬、 陶瓷、混凝土、生物、高分子、礦物、纖維等無機(jī)或有機(jī)固體材料的斷口、表面形貌、變形層等的觀察；?材料的相分布和夾雜物形態(tài)成分的鑒定；?金屬鍍層厚度及各種固體材料膜層厚度的測定；?納米材料及其它無機(jī)或有機(jī)固體材料的粒度觀察和分析 ；?進(jìn)行材料表面微區(qū)成分的定性和定量分析。? |
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