IM4000 Plus Hitachi離子研磨儀 IM4000 Plus
- 公司名稱 似空科學(xué)儀器(上海)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) IM4000 Plus
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2023/5/23 21:24:16
- 訪問次數(shù) 7933
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 出料粒度 | 0.01mm以下 |
---|---|---|---|
價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 樣品適用 | 硬性樣品 |
儀器種類 | 研磨機(jī) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
Hitachi離子研磨儀 IM4000 Plus
截面研磨/ 平面研磨的兩用前處理裝置
一臺(tái)儀器同時(shí)具備“截面研磨(Cross Section Milling)”和“平面研磨(Flat Milling)”兩種功能。
通過更換樣品座、可以滿足廣泛的應(yīng)用需求。
主要特點(diǎn):
1. 即可進(jìn)行截面切割,也可進(jìn)行平面研磨;
2. 加工效率更高,截面約500μm/h;
3. 程序控制間歇式加工;
4. 通過制冷功能可以對(duì)受熱易損傷的樣品進(jìn)行加工。
截面研磨
為了對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀察、分析,必須讓樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)顯露出來。
而通過切割或機(jī)械研磨的截面,不可避免因應(yīng)力而產(chǎn)生變形和損傷,因此很難得到SEM分析所需要的平滑表面。
日立離子研磨裝置使用大面積低能量的Ar離子束,加工出無(wú)應(yīng)力損傷的截面,為SEM觀察樣品的內(nèi)部多層結(jié)構(gòu)、結(jié)晶狀態(tài)、
異物解析、層厚測(cè)量等提供有效的前處理方法。
原理
樣品和離子槍之間放置了遮擋板(Mask),樣品的上端略突出遮擋板,離子束從遮擋板上方照射到樣品上、沿著遮擋板的邊緣,加工出平坦的截面。
特點(diǎn)·應(yīng)用
■制成的低損傷的截面便于表層以下內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析。
■適用樣品:電子元件如IC芯片、PCB、LED等(多層、裂
痕、孔洞分析)、金屬(EBSD晶體結(jié)構(gòu)、EDS元素分析、鍍
層)、高分子材料、紙、陶瓷、玻璃、粉末等。
■可移動(dòng)的樣品座可精確定位、實(shí)現(xiàn)對(duì)特定位置的研磨(詳見說
明書)。
■大樣品: 寬20 mm× 長(zhǎng)12 mm× 厚7 mm
■聯(lián)用樣品臺(tái)在機(jī)械研磨、離子研磨、SEM觀察(Hitachi
機(jī)型)之間不用更換樣品臺(tái)。
樣品: 熱敏紙
平面研磨
SEM在觀察金相組織和材料缺陷時(shí)需要經(jīng)過特殊的樣品制備方法。傳統(tǒng)的機(jī)械研磨拋光會(huì)使表面產(chǎn)生變形、損傷或劃痕,
無(wú)法獲得樣品的真實(shí)結(jié)構(gòu)。通過日立IM4000可對(duì)樣品進(jìn)行無(wú)應(yīng)力加工,用于去除樣品的表層、加工出低損傷平面,也可用
于機(jī)械研磨的后續(xù)加工工序。
原理
如果離子束中心軸和樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)中心軸是*的,則加工出的輪廓反映了離子束流密度分布,即中心部分較深的形狀。
平面研磨法是利用離子束中心軸和樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)中心軸之間有一定的偏心量,從而獲得均一的大范圍加工面。
特點(diǎn)·應(yīng)用
■均勻加工范圍直徑約5 mm
■能除去用機(jī)械研磨難以除去的細(xì)微損傷和變形
■可用于多種分析目的的大面積研磨
結(jié)晶晶界的觀察、多層膜的觀察:
離子束照射角小的時(shí)候,離子束的加工速率與樣品的結(jié)晶取向、組成相關(guān)性大,利用這個(gè)加工速率的差別可以加工出形如浮雕的平面。
界面的觀察、元素分析、EBSD*分析:
離子束照射角大的時(shí)候,離子束的加工速率與樣品的結(jié)晶取向、組成相關(guān)性不大,可以加工出平坦的樣品表面。
■大樣品尺寸: 直徑50 mm× 高25 mm
■ 有旋轉(zhuǎn)加工和擺動(dòng)加工兩種方式可選:
除了旋轉(zhuǎn)加工方式,還增加了擺動(dòng)加工方式,擺動(dòng)角度為±60°或±90°??蛇x擇多種加工方式(速度、轉(zhuǎn)動(dòng)方式可調(diào)),從而加工出比較平坦的表面。
樣品: 鋼材
功能
IM4000PLUS加工速率更高
IM4000PLUS提高了離子束流的密度使得研磨速率大幅度的提高。
(研磨速率:500 μm/hr,相對(duì)于IM4000增大了50%*1 @加速電壓6 kV,Si材料)
*1 相對(duì)于Mask截面樣品伸出100 μm,加速電壓: 6 kV
樣品: Si片
應(yīng)用實(shí)例
應(yīng)用(截面研磨)
應(yīng)用(平面研磨)
主要參數(shù)
*4 Si片突出遮擋板(Mask)邊緣100 μm
*5 冷卻時(shí)擺動(dòng)角度為±15°和±30°
*6 Mask的移動(dòng)精度有所提高,其移動(dòng)步長(zhǎng)變?yōu)槟壳暗?/5
應(yīng)用領(lǐng)域:
1. LED、PCB等半導(dǎo)體行業(yè);
2. 頁(yè)巖氣;
3. 高分子材料