P-300F Picosun
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 上海磊微科學(xué)儀器有限公司
- 品牌
- 型號 P-300F
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2023/4/4 15:56:40
- 訪問次數(shù) 945
產(chǎn)品標(biāo)簽
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| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | TOF |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源 |
PICOSUN P-300系統(tǒng)已經(jīng)成為高產(chǎn)能ALD制造業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。擁有的熱壁、*獨(dú)立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計(jì)， 確保我們可以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì)量ALD薄膜。高效緊湊的設(shè)計(jì)使得維護(hù)更加方便、快捷， 最大限度的減少了系統(tǒng)的維護(hù)停工期和使用成本。擁有專技術(shù)的Picoflow?使得在超高深寬比結(jié)構(gòu)上沉積保形性薄膜更高效， 并已在生產(chǎn)線上得到驗(yàn)證。
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)是一種的薄膜制備設(shè)備，用于制備微米或納米級別的涂層或膜，以應(yīng)用于包括半導(dǎo)體、電子、生物醫(yī)學(xué)和光學(xué)在內(nèi)的多個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)采用原子層沉積（ALD）技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)高精度、高質(zhì)量、高重復(fù)性和低缺陷的薄膜制備。
核心優(yōu)勢是利用薄膜制備過程中的化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)控制每個(gè)反應(yīng)步驟的沉積速率和化學(xué)反應(yīng)，以實(shí)現(xiàn)單層膜、多層膜或堆疊膜的精確控制。該系統(tǒng)可以使用多種有機(jī)/無機(jī)沉積氣體材料，所以可以生產(chǎn)多種不同類型的膜層。
采用豎直式的設(shè)計(jì)，在反應(yīng)室內(nèi)通過副反應(yīng)室進(jìn)入氣體，與基底進(jìn)行反應(yīng)沉積，尤其適用于小型和容易反應(yīng)的樣品，但也可用于大尺寸樣品。核心組件包括壓力鍋、氣壓控制和儀器電氣控制系統(tǒng)，使該系統(tǒng)具有的自動(dòng)化和可重復(fù)性。
應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，用于制造各種微電子設(shè)備如IC、MEMS、LED等，以及太陽能電池、氫燃料電池、生物醫(yī)學(xué)器材、強(qiáng)化材料等各種領(lǐng)域。由于該系統(tǒng)具有高效、高可靠性和高靈敏度，因此其應(yīng)用范圍很廣，具有的市場需求。以下是詳細(xì)介紹。
原理與工藝
的是氣相化學(xué)反應(yīng)技術(shù)，采用在線反應(yīng)室微觀熱墓和在線紅外線吸收光譜檢測系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)的反應(yīng)速率和高度可控制的反應(yīng)過程。兩種基本反應(yīng)原理是ALD一次反應(yīng)。
第一反應(yīng)：氣態(tài)前體 A + 基底表面 - 第一層（物質(zhì)A）
第二反應(yīng)：氣態(tài)前體 B + 第一層（物質(zhì)A） - 第二層（物質(zhì)B）
ALD制備薄膜的工藝流程如下：
1.基板預(yù)處理
清洗是保證ALD反應(yīng)的可靠性和一致性的最基本的前置處理工藝。清洗是將基板的表面粗糙度、污染物和氧化層除去，以及提供活性表面。通常，清洗過程可以使用化學(xué)浸泡、酸洗和高溫處理。在清洗過程中，應(yīng)控制基板表面的穩(wěn)定和一致，也應(yīng)減少基板污染和金屬熱氧化。
2.沉積前處理
沉積前處理是為了去除基板表面的雜質(zhì)，包括氧化物、有機(jī)物、水分子等，以便更好地與反應(yīng)氣體進(jìn)行反應(yīng)。一般來說，沉積前處理使用激活氣體，如氫氣、氟氣、氮?dú)獾?，在表面形成一個(gè)極其活性的表面，以便后續(xù)的反應(yīng)。在沉積前處理過程中，要確保處理的穩(wěn)定性和精確性。
3.原子層沉積
ALD的本質(zhì)是在表面上原子層移植，通過ALD可控制每一層的沉積厚度，初始化速率和控制膜質(zhì)量。ALD沉積一般采用靜態(tài)反應(yīng)，即在靜止的氣氛中，每個(gè)反應(yīng)基元分子沉積。此過程需要多個(gè)升降溫周期，即沉積源泵出B基元分子，氣氛清洗，加熱處理，B基元分子吸附，在加熱的過程中，升高到C基元分子泵出的溫度，C基元分子泵出，再經(jīng)過清洗。
4.結(jié)束處理
在沉積完成后，需要進(jìn)行后處理，以便將沉積過程中可能殘留的化學(xué)物質(zhì)去除，并使膜的性能更加穩(wěn)定和均勻。后處理過程包括清洗和烘烤，清洗是為了去除殘留的反應(yīng)物，而烘烤是為了去除表面的水分和表面張力，并進(jìn)一步強(qiáng)化膜的剩余應(yīng)力。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1.精確和可重復(fù)制
的是原子層沉積技術(shù)，具有非常高的精度，將落在每一層的薄膜厚度控制在數(shù)個(gè)原子的尺度上，隨著復(fù)合層數(shù)目的增加，對最終的薄膜質(zhì)量的要求也在增加。同時(shí)，該系統(tǒng)也具有非常高的可重復(fù)性，可以保證每個(gè)沉積過程的質(zhì)量和結(jié)果都非常一致。
2.多樣化的附加功能
除了標(biāo)準(zhǔn)的原子層沉積功能之外，PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)還具有多種可選的功能，以滿足不同領(lǐng)域的需求。比如，防反射涂層、光學(xué)薄膜、生物醫(yī)用薄膜等，該系統(tǒng)可以根據(jù)不同領(lǐng)域的要求進(jìn)行調(diào)整，定制化的生產(chǎn)薄膜，從而使客戶得到產(chǎn)品。
3.高度智能化和技術(shù)
高度智能化的控制系統(tǒng)，使系統(tǒng)具有高度自動(dòng)化和可重復(fù)性，可以在外部網(wǎng)站上實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場監(jiān)控和控制。同時(shí)，系統(tǒng)采用了的技術(shù)，如紅外線光譜儀、微觀熱墓等，使系統(tǒng)具有高精度和高品質(zhì)的制造工藝。該系統(tǒng)還采用多種原理和各種控件之間的同步性，在反應(yīng)過程中保證了高度的一致性和可靠性。
4.廣泛適用的應(yīng)用領(lǐng)域
適用的領(lǐng)域非常廣泛，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電設(shè)備、微電子制造、太陽能電池、啟動(dòng)裝置、燃料電池制造、生物醫(yī)學(xué)器材、電子電器制造等多個(gè)領(lǐng)域，以滿足不同領(lǐng)域的需求。
5.專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)由專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)支持，可提供全面的技術(shù)支持和培訓(xùn)，為客戶的研發(fā)和制造保駕護(hù)航。在安裝、調(diào)試和使用過程中感到疑惑時(shí)，可以隨時(shí)聯(lián)系技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)獲取幫助。
主要優(yōu)勢
1.制備高質(zhì)量膜層：PICOSUN原子層沉積技術(shù)具有高度控制和預(yù)測性，可以在過程中獲得高質(zhì)量的膜層，使膜層的各種物理和化學(xué)性質(zhì)得到精確地控制。
2.高度可控性和準(zhǔn)確性：由于采用原子層級別制造技術(shù)，因此能在超小尺寸范圍內(nèi)控制每一層的厚度，從而精確地控制物質(zhì)的性質(zhì)，制備出滿足不同需求的膜層。
3.良好的生產(chǎn)效益：由于精確的原子層沉積技術(shù)和高度智能化的控制系統(tǒng)，使得PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)具有高效、可重復(fù)的生產(chǎn)效益。
4.更多的應(yīng)用領(lǐng)域：與其他技術(shù)比較，原子層沉積系統(tǒng)具有更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，可以廣泛應(yīng)用于電氣、電子、光學(xué)、化學(xué)和生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域等多種領(lǐng)域。
5.為客戶定制的解決方案：PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)還可定制化，以滿足客戶不同需求的需求，從而優(yōu)化產(chǎn)品，為客戶提供更好的解決方案。
主要功能
1.超高功能型防反射涂層
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)支持多種防反射涂層，例如納米級SiO2和CaF2.這種超高功能型防反射涂層能夠在材料上覆蓋納米粒子加強(qiáng)材料自身的反射鏡效果，提升透過率和光響應(yīng)度，適用于各種光學(xué)器件。
2.光電設(shè)備的制備
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)提供的ALD制備沉積技術(shù)，可應(yīng)用于半導(dǎo)體和微電子制造領(lǐng)域。它可以高度控制膜的厚度和質(zhì)量，制造器件的性能穩(wěn)定，提高生產(chǎn)效率和降低成本。
3.太陽能電池的制造
利用ALD制備技術(shù)，可以制作高效率，耐用和高可靠性的太陽能電池。該系統(tǒng)采用多種化學(xué)反應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)高度控制的層厚度、化學(xué)組成分布和加工能力，使太陽能電池更加堅(jiān)韌、高效和可靠。
4.汽車啟動(dòng)裝置的高效制造
汽車啟動(dòng)裝置需要在各種環(huán)境下工作，PICOSUN原子層沉積技術(shù)可定制化制造多種高性能材料，可以滿足這些環(huán)境的需要。該系統(tǒng)提供了高度控制的層厚度和化學(xué)組成分布，可以提供優(yōu)質(zhì)的動(dòng)力學(xué)性能和高可靠性。
5.醫(yī)學(xué)用途材料制備
與傳統(tǒng)壓滴涂涂等技術(shù)制備醫(yī)用器材相比，PICOSUN原子層沉積技術(shù)可定制化制造其他多種材料，如沉積小分子化合物或生物材料膜、制備緩釋藥物等，從而提供更大的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品線選擇。
6.氫燃料電池的高效生產(chǎn)
PICOSUN原子層沉積技術(shù)可應(yīng)用于氫燃料電池的生產(chǎn)制造。該技術(shù)提供了多種精準(zhǔn)制造功能，例如可定制化的負(fù)載控制，可快速制造出高質(zhì)量、高精度的氫燃料電池。此外，該系統(tǒng)還可以克服傳統(tǒng)生產(chǎn)方法所受到的成本和效率限制。
7.塑料、古董等物件的保護(hù)護(hù)理
PICOSUN原子層沉積技術(shù)也可用于物件保護(hù)層的制備。例如對于塑料制品和古董中的絲綢、纖維等材料,可制備保護(hù)層用于彌補(bǔ)這些物質(zhì)的缺陷和凹陷，及從而維護(hù)其使用壽命，對它們的物理及化學(xué)性質(zhì)中的損傷起到防護(hù)作用。
規(guī)格參數(shù)
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：
最大沉積面積(mm): 200×200×800（WxDxH)
氣氛處理方式: 靜態(tài)/動(dòng)態(tài)流
氣氛處理材料：金屬和半導(dǎo)體（納米級和亞納米級）
反應(yīng)室最高溫度(℃): 客戶可定制化
外部尺寸(mm): 1200×900×1850WxDxH
設(shè)備重量(kg): 850
控制系統(tǒng): 液晶觸摸屏、PLC控制系統(tǒng)
反應(yīng)器膜層數(shù)：最高可達(dá)1000
附屬設(shè)備：
紫外線燈
真空泵
高精度儀器電熱膜轉(zhuǎn)臺
紅外線光譜儀
微觀測熱儀
多示波器
壓力計(jì)
小型氣泵
結(jié)論
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)是一種可以制備高質(zhì)量、精準(zhǔn)薄膜的薄膜加工設(shè)備，具有多種應(yīng)用功能，可以制備多種膜層，涵蓋多個(gè)領(lǐng)域和行業(yè)，包括半導(dǎo)體、電子、生物醫(yī)學(xué)和光學(xué)等。其基于ALD技術(shù)的沉積過程具有高度可控性、高精準(zhǔn)性和生產(chǎn)效益性，并且可以根據(jù)不同領(lǐng)域的需要進(jìn)行定制化制造，以滿足客戶不同的需求。該系統(tǒng)的安裝、調(diào)試和使用過程十分簡單，質(zhì)量和效率均得到保證，其有效地為客戶提供了更多的解決方案，也為其帶來更廣泛的市場需求。
PICOSUN? P-300F系統(tǒng)代表了工業(yè)化ALD工藝。這個(gè)系統(tǒng)是為全自動(dòng)的批量生產(chǎn)而設(shè)計(jì)， 并與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的單片晶圓真空集群平臺相結(jié)合。 P-300F系統(tǒng)通過SEMI S2/S8認(rèn)證，可以通過SECS/GEM整合到自動(dòng)化生產(chǎn)線上。
The PICOSUN? P-300F是IC行業(yè)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)行業(yè)的選ALD系統(tǒng)！
襯底尺寸和類型
200 mm 晶圓 50片/批次
150 mm 晶圓 50片/批次
100 mm 晶圓 50片/批次
高深寬比基底（最大深寬比1:2500）
基底材料： Si,玻璃，石英， SiC,GaN, GaAs, LiNbO3, LiTaO3, InP
工藝溫度和產(chǎn)率
50 – 300°C
最高達(dá)到1000片/24h@15nm Al2O3薄膜
批量生產(chǎn)的平均工藝時(shí)間小于10秒/循環(huán)*
Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各種金屬
同一批次薄膜不均勻性<1% 1σ
(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**
基片裝載
全自動(dòng)裝載， 帶垂直翻轉(zhuǎn)功能的真空集群設(shè)備
通過Picoplatform? 200 真空集群系統(tǒng)進(jìn)行盒 對盒批量裝載
可選SMIF配置
前驅(qū)體
液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源
源瓶余量傳感器， 提供清洗和裝源服務(wù)
6根獨(dú)立源管線， 最多加載12個(gè)前驅(qū)體源
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