一、產(chǎn)品概述：

霍爾效應(yīng)測試儀是一種用于測量材料霍爾效應(yīng)的儀器，主要用于評估半導(dǎo)體和導(dǎo)體的電學(xué)特性。該設(shè)備能夠準確測量材料在外部磁場下的電導(dǎo)率、霍爾電壓和載流子濃度等參數(shù)，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和電子工程領(lǐng)域。

二、設(shè)備用途/原理：

·設(shè)備用途

霍爾效應(yīng)測試儀主要用于半導(dǎo)體材料的研究與開發(fā)、電氣元件的性能測試以及材料的電學(xué)特性評估。它幫助研究人員了解材料的載流子類型、濃度及遷移率，為新材料的設(shè)計和應(yīng)用提供重要數(shù)據(jù)支持。

·工作原理

霍爾效應(yīng)測試儀的工作原理基于霍爾效應(yīng)現(xiàn)象。當電流通過材料時，施加垂直于電流方向的磁場會在材料中產(chǎn)生霍爾電壓。通過測量霍爾電壓和已知的電流及磁場強度，儀器能夠計算出材料的霍爾系數(shù)、載流子濃度和遷移率等電學(xué)參數(shù)。這一過程通常涉及精密的電流和磁場控制，以確保測量的準確性和重復(fù)性。

三、主要技術(shù)指標：

1. 系統(tǒng)功能：用于測量半導(dǎo)體材料的電阻率/電導(dǎo)率、流動性、散裝/片狀載體濃度、摻雜類型、霍爾系數(shù)、磁阻、垂直/水平阻力比的半導(dǎo)體高性能霍爾系統(tǒng)。模塊化設(shè)計理念，允許輕松升，該系統(tǒng)適用于各種材料，包括硅和化合物半導(dǎo)體和金屬氧化物膜等

2. 該系統(tǒng)具有低電阻率和高電阻率測量功能，具有雙重溫度功能和一個可選的低溫恒溫器，可擴展該系統(tǒng)溫度范圍從90K到500K

3. 方塊電阻量程：10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sq

4. 載流子濃度量程：106 ~ 1021 cm-3

5. 載流子遷移率量程：1 ~ 107 cm

6. 四個微調(diào)探針座，探針直接形成ohm接觸，無需焊線或制作PCB板

7. 大樣品測量直徑：25mm