顱腦創(chuàng)傷性儀

細胞顱腦損傷儀(Cell Injury Controller II)

創(chuàng)傷性腦損傷是神經(jīng)外科最常見的疾病，是導致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經(jīng)生化、shen jing bing 理生理等方面的變化，可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助，將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質(zhì)量。故建立各種便于觀察和施加干預(yù)因素、控制性佳、可分級、可復制性好并符合人類腦創(chuàng)傷特點的創(chuàng)傷性人類腦創(chuàng)傷特點的創(chuàng)傷性腦損傷模型，是目前創(chuàng)傷性腦損傷的研究熱點。

細胞損傷控制儀（Cell Injury Controller II）采取電子式控制，適合腦源性細胞培養(yǎng)樣品，或其它離體培養(yǎng)細胞的牽張性損傷模型制作。損傷后可進行神經(jīng)生化、形態(tài)學、生理學，藥物干預(yù)等方面的研究。

細胞損傷控制儀使用Flexcell公司的Tissue Train 三維細胞組織應(yīng)力加載系統(tǒng)。

細胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個培養(yǎng)室，以造成培養(yǎng)組織牽張性的損傷，損傷的嚴重程度是依靠控制進出密閉培養(yǎng)室的氣體量。培養(yǎng)室的峰值壓力同時被記錄下來，這個數(shù)值可以用來精確地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。細胞損傷控制儀（CIC II）可以搭配BioFlex 57.75cm 柔性基底培養(yǎng)板。

因為受損后的細胞或許會因為上述因素死亡或修復，所以根據(jù)所采用的細胞種類、損傷的程度、培養(yǎng)的狀況，細胞損傷控制儀(CIC II)很適合應(yīng)用在下列損傷反應(yīng)研究：細胞受損、修護，死亡，藥物介入。

顱腦創(chuàng)傷性儀