蔡司X射線顯微鏡 Xradia 515 Versa
- 公司名稱 北京中顯恒業(yè)儀器儀表有限公司
- 品牌 ZEISS/蔡司
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/11/20 14:28:18
- 訪問(wèn)次數(shù) 115
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
蔡司X射線顯微鏡 Xradia 515 Versa 是一款具有高性能和廣泛應(yīng)用的先進(jìn)顯微鏡。
一、性能特點(diǎn):
· 高分辨率成像:該顯微鏡具有 500nm 的真實(shí)空間分辨率,最小可實(shí)現(xiàn) 40nm 的體素,可提供亞微米級(jí)的成像精度,能夠清晰地呈現(xiàn)樣品的微觀細(xì)節(jié)
· 大工作距離下的高分辨能力:采用兩級(jí)放大架構(gòu),即光學(xué)放大和 X 射線幾何放大,減少了對(duì)單級(jí)幾何放大的依賴性,在大工作距離下依然保持亞微米級(jí)分辨率,可實(shí)現(xiàn)不同類型、尺寸的樣品多尺度成像,無(wú)需對(duì)樣品進(jìn)行復(fù)雜預(yù)處理或切割
· 多種襯度成像模式:支持吸收襯度和創(chuàng)新的相位襯度成像模式,可實(shí)現(xiàn)對(duì)軟材料或低原子序數(shù)材料的 3D 成像,能夠更好地突出樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和特征,為不同類型的樣品提供了更豐富的成像選擇
· 智能系統(tǒng)控制:配備了智能防撞系統(tǒng),如 ZEN navx 等用戶導(dǎo)向的控制軟件,具有人性化的界面與流程設(shè)計(jì),可將復(fù)雜操作即刻化繁為簡(jiǎn),確保儀器操作的安全性和便捷性,同時(shí)還具備全自動(dòng)的參數(shù)推薦功能,可確保不同類型的樣品均能獲得高質(zhì)量圖像
· 基于AI的高級(jí)重構(gòu)技術(shù):兼容 ART 高級(jí)重構(gòu)工具箱,利用 AI 技術(shù)提高成像效率和改善成像質(zhì)量,能夠?qū)D像進(jìn)行降噪、增強(qiáng)對(duì)比度等處理,使圖像更加清晰、細(xì)節(jié)更加豐富,同時(shí)還能提高數(shù)據(jù)處理和重構(gòu)的速度,縮短研究周期
· 可升級(jí)與拓展性:具有良好的可升級(jí)和拓展特性,用戶可根據(jù)自身需求選擇原位接口、4D 原位試驗(yàn)平臺(tái)、迭代重構(gòu)、自動(dòng)進(jìn)樣裝置、平板探測(cè)器等多個(gè)拓展模塊,滿足不同的研究和應(yīng)用需求,保護(hù)用戶投資
二、技術(shù)參數(shù)
· X射線源:最高工作電壓 160kV,最大功率 10W1.
· 探測(cè)器:光電耦合物鏡探測(cè)器,配備多種物鏡,其中物鏡 0.4X 的最大三維視野 50mm,物鏡40X最高空間分辨率 500nm1.
·最大可測(cè)樣品尺寸:φ300mm×450mm1.
·原位測(cè)試力值:最大 5KN,軸向位移最大10mm,軸向位移速度 0.1mm/min -1mm/min1.
·原位拉伸試驗(yàn)臺(tái)的溫度范圍:﹣20℃ ~﹢160℃1.
三、應(yīng)用領(lǐng)域:
· 材料科學(xué):可用于電池、金屬、陶瓷、高分子、混凝土等材料的三維無(wú)損分析,如觀察軟復(fù)合材料中的裂縫、測(cè)量鋼材中的孔隙率等,還可用于材料拉伸或壓縮斷裂行為和加熱試驗(yàn)的原位表征,為材料的研發(fā)、質(zhì)量控制和性能優(yōu)化提供重要依據(jù)
· 生命科學(xué):適用于動(dòng)植物組織的微觀結(jié)構(gòu)三維成像,如實(shí)現(xiàn)虛擬的組織學(xué)切片觀察,對(duì)細(xì)胞和亞細(xì)胞特征進(jìn)行可視化,還可用于探究硬組織和軟組織以及生物的微觀結(jié)構(gòu),為生命科學(xué)研究和醫(yī)學(xué)診斷提供有力支持
· 地球科學(xué):在地質(zhì)、油氣、礦物、古生物等領(lǐng)域的三維成像方面具有重要應(yīng)用,可用于表征巖心尺度上的非均質(zhì)性,并對(duì)孔隙結(jié)構(gòu)進(jìn)行量化,還可進(jìn)行流體流動(dòng)測(cè)試、紋理分析等,有助于更好地了解地球內(nèi)部結(jié)構(gòu)和礦產(chǎn)資源分布等124.
· 電子和半導(dǎo)體行業(yè):能夠?qū)﹄娮悠骷M(jìn)行形貌測(cè)量及失效分析,如對(duì)完整封裝進(jìn)行無(wú)損亞微米成像來(lái)進(jìn)行缺陷定位和表征,從而優(yōu)化工藝開發(fā)并進(jìn)行失效分析,還可用于研究封裝的可靠性,為電子元器件和半導(dǎo)體芯片的質(zhì)量檢測(cè)和故障診斷提供重要手段