MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀
- 公司名稱 杭州雷邁科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2024/12/11 18:49:11
- 訪問次數(shù) 81
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 5萬-10萬 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,交通,航天,電氣 |
MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀基于激光干涉原理,激光干涉儀是高精度、高靈敏度的測量儀器,廣泛應(yīng)用在先進(jìn)制造領(lǐng)域。MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀采用了自主研發(fā)的高度集成化的激光傳感平臺,以工業(yè)應(yīng)用中最重要的線型標(biāo)定為核心,將干涉儀的參考光路內(nèi)置于干涉儀中,將光學(xué)相干光路等集成在單個光電芯片上,一步實(shí)現(xiàn)激光干涉儀的線型測長和標(biāo)定功能,從而簡化了干涉儀系統(tǒng)測試時的復(fù)雜程度。
MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀半導(dǎo)體典型應(yīng)用
●超高精度位置跟蹤應(yīng)用
在光刻過程中,分辨率是反映光刻機(jī)理論上可識別的最小特征尺寸的重要指標(biāo),也決定著運(yùn)動系統(tǒng)的控制精度。由于整個曝光過程中要求系統(tǒng)以恒定的速度運(yùn)行,對速度的均勻性要求較高,因此對控制的精度的要求更為苛刻,通常情況下,勻速性由跟蹤誤差反映,無掩模掃描式光刻系統(tǒng)的控制要滿足納米級精度, 工件臺自身的控制也要求達(dá)到該數(shù)量級,并且工件臺控制系統(tǒng)的跟蹤定位精度也是影響套刻精度的重要因素,預(yù)防反復(fù)曝光芯片刻蝕過程中,發(fā)生偏離導(dǎo)致電路圖案扭曲影響芯片性能。
l 平面檢測
在光刻測量過程中,硅片在高速運(yùn)動情況下,容易發(fā)生形變,從而影響硅片的平面度,降低光刻精度。為了優(yōu)化硅片平臺的操作模式,需要一種納米級超高精度、無接觸的形變量測量方式。